本研究针对传统SnO2薄膜沉积工艺存在的低生长速率、高杂质含量及高温结晶难题，采用Sn(dmamp)2和H2O2的原子层沉积(ALD)技术，实现了高纯度、低电阻率SnO2薄膜的低温制备（200℃），生长速率达0.11-0.15 nm/cycle，并成功将其作为模板诱导金红石TiO2生长，使MIM电容器介 ...
为解决水体中难降解药物污染物问题，研究人员通过电纺丝和原子层沉积(ALD)技术构建了TiO2/SnO2核壳纳米纤维光催化剂。该 ...
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