芝能智芯出品 近年来，随着数据存储需求的不断增长，存储技术的革新也在加速发展。特别是在高可靠性和实时性方面，传统的存储器如NOR Flash、NAND Flash、DRAM等存在一定局限性，而FeRAM（铁电随机存储器）凭借高可靠性和无延迟的特性，成为众多行业的关注焦点。

【赛迪网讯】上海，2006年8月8日—富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学（Tokyo-Tech）、富士通实验室(Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory， FeRAM)的新型材料。

imec展示了一种基于镧掺杂锆酸铪(La:HZO)的铁电电容器。该电容器具有高耐久性（1011个周期）、高最终剩余极化强度（1.8MV/cm时2P R =30µC/cm 2）和减少唤醒。研究人员能够通过铁电电容器材料的界面氧化物工程获得这种独特的特性组合堆。 imec称，这种高性能、可 ...

在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下，市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测，2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%，达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来 ...

在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下，市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测，2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%，达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来 ...

与EEPROM和闪存等现有类型的非易失性存储器相比，FeRAM具有高写入速度、高读/写耐久性和低功耗的特点，广泛应用于IC卡、RFID ...

在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下，市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测，2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%，达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来 ...

为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代，如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。 在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下，市场对于高性能存储解决 ...

富士通微电子(上海)有限公司日前宣布，东京工业大学(Tokyo-Tech)、富士通实验(Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)的新型材料。 富士通微电子(上海)有限公司日前宣布 ...

本文针对动态随机存取存储器(DRAM)面临的能耗与性能瓶颈，研究人员开展了铁电随机存取存储器(FERAM)的设计技术协同优化(DTCO)研究。通过构建从铁电电容器件模型到系统级仿真的完整框架，研究发现将铁电极化切换电压优化至1.5V时，系统可实现14%的指令每周期 ...

相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS计划发表最新研究报告指出，台湾地区已有不少厂商投入该技术的研发，相较于FeRAM与MRAM，在PCM领域发展机会较大。 相变内存 ...