HfO 2 因其独特的铁电性能和兼容性，已成为抗辐照大规模存储器的新型材料。然而，HfO 2 铁电相容易受到氧空位与电荷的影响，使其在高辐照环境下面临着铁电特性分散化的潜在威胁，因此，研究辐照位移损伤及其影响对HfO 2 基铁电存储的大规模制造与应用意义 ...

具有超低矫顽力场的铁电 Hf(Zr)1+xO2 电容器中的稳定菱面体相 氧化铪（HfO2）铁电性的发现再次激发了人们对铁电器件的兴趣。铁电氧化铪在纳米厚度上表现出强大的电偶极子，并且与现代互补金属氧化物半导体（CMOS）技术兼容。与CMOS 的兼容性使超高密度铁电 ...

研究人员通过射频磁控溅射技术开发了一种无掺杂HfO2阻变存储器(RRAM)平台，通过精确调控薄膜化学计量比实现了多级阻变(RS)行为。该研究利用二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)揭示了Hf浓度梯度变化与氧空位分布规律，结合导电原子力显微镜(c-AFM)证实了 ...