Microsemi Corporation宣布推出一个新的高速Power MOS 8(r)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)系列，该系列器件产品采用穿通工艺技术，电压为600V和900V。 Microsemi Corporation宣布推出一个新的高速Power MOS 8(r)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)系列，该系列器件产品采用穿通工艺技术，电压 ...

SC8723/SC8724 是一个集成Power MOS的同步升降压变换器。支持最大22V 的输入及输出电压，无论是输出电压高于、低于或等于输入电压，都能提供出色的电源效率和电压调节，非常适合USB-HUB、移动电源、适配器等应用。 不仅如此，在一些工业电源应用中，SC8723/SC8724 ...

在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。 该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。 而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸 ...