南京邮电大学唐为华教授团队：MOCVD氧/镓前驱配比对κ-Ga₂O₃异质 ...

近日，南京邮电大学氧化镓半导体创新中心（IC-GAO）唐为华教授团队基于MOCVD技术系统分析了氧/镓前驱物摩尔比（Ⅵ/Ⅲ ratio）生长参数对κ-Ga2O3薄膜外延质量的影响。相关成果以“Effect of the VI/III ratio on ...