新浪网

CoolSiC 2000V SiC 沟槽栅MOSFET定义新能源应用中功率密度增强的新基准

本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACK™ 3B封装的升压模块。这些产品的性能提高了系统功率密度，可靠性和 ...