本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACK™ 3B封装的升压模块。这些产品的性能提高了系统功率密度，可靠性和 ...

在本教程中，我们将学习如何使用MOSFET模块控制直流电机速度。 LED驱动电源的输入包括高压工频交流(即市电)、低压直流、高压直流、低压高频交流(如电子变压器的输出)等。 在工业自动化蓬勃发展的当下，工业电机作为核心动力设备，其驱动电源的性能直接 ...

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”。这是东芝首款具有此类电压 ...

据麦姆斯咨询报道，咨询机构Yole看好碳化硅（SiC）器件市场前景，2016~2020年该市场的复合年增长率（CAGR）为28%。由于工业 ...